氮化镓作原料的第三代半导体，技术特性使其可在体积与重量减半的情况下，实现3倍于旧式硅芯片的充电功率。

手机充电器仅为氮化镓芯片的应用场景之一。据公开信息显示，目前在个人电脑、数据中心等领域均有商业应用，并正在向太阳能、电动汽车等领域拓展。

回顾半导体行业的发展历史，新技术与新应用场景的变革总是会深刻影响着行业格局。硅由双极型转变为MOSFET时（bipolar to MOSFET），催生出了很多新的电源设计公司。

但要推动新技术由概念转变为生意并非易事。与硅器件相比，氮化镓器件的高成本同样是亟待解决的问题。氮化镓器件的成本主要来自芯片外延的开发与生产、代工（fab process）以及封装三个环节。为了进一步实现氮化镓的高频特性，使用了专有开发的PDK套件高频封装，在代工方面采用fabless模式。未来将进一步提升工艺良率、减小die（裸晶或裸片，是芯片的组成部分。由晶圆切割得来，封装后成为芯片）的面积，降低成本。

由于氮化镓应用生态仍处发展阶段，使用氮化镓器件进行产品设计的难度也相对较高，这也从侧面反映出，氮化镓相关的行业生态尚未完善。与氮化镓配套的高频控制器、高频磁芯等设备仍存在缺位的情况。以磁器件为例，目前氮化镓器件已经能够达到10M以上的开关频率，但目前与之配套的磁器件频率最高值仅为400k至500k。

另一方面，与硅芯片相比，氮化镓芯片的二氧化碳排放量相对较少。据统计，到2050年，如果50%以上的硅器件能够转成氮化镓器件，那么整个全球碳排放量可减少10%。

降低氮化镓器件的成本、完善氮化镓的行业生态、拓展新的应用场景都会是必须要解决的难题。但这些绝非一蹴而就的事，氮化镓芯片的普及还需要时间。